اینورتر CMOS

تقویت کننده ی شبه تفاضلی کلاس-AB برمبنای اینورتر CMOS برای کاربردهای HF

تقویت کننده ی شبه تفاضلی کلاس-AB برمبنای اینورتر CMOS برای کاربردهای HF

رشته ::: برق !!!!! فرمت فایل docx حجم فایل 1785 کیلو بایت تعداد صفحات فایل 18

تقویت کننده ی شبه تفاضلی کلاس-AB برمبنای اینورتر CMOS برای کاربردهای HF

چکیده__ این مقاله یکتقویت کننده ی شبه-تفاضلی کلاس-AB برمبنای اینورتر CMOS برای کاربردهای HF، با استفاده از مدار ساده rail-to-rail CMFB را ارایه می دهد. مدار ارایه شده، دارای دو اینورتر CMOS و فیدبک حالت-مشترک مکمل (CMFB)_که خود متشکل از آشکارساز حالت-مشترک حالت جریان و تقویت کننده های ترنز-امپدانسی (transimpedance)، بوده_ می باشد. این مدار با استفاده از فناوری CMOS 0.18 نانومتری تحت ولتاژ منبع 1 ولت، طراحی شده است، و نتایج شبیه سازی نشان می دهند که نوسان خروجی rail to rail با استفاده از گین حالت-مشترک پایین(-15 dB)، بدست می آید. نوسان خروجی مدار 0.7 v می باشد. تلفات توان مدار 0.96 میکرووات می باشد.

تقویت کننده ی شبه تفاضلی کلاس-AB برمبنای اینورتر CMOS برای کاربردهای HF
پروژه کارشناسی ارشد برق
فایل محتوای
1) اصل مقاله لاتین
2) متن ورد ترجمه شده بصورت کامات تخصصی 18 صفحه قابل ویرایش

لینک ثابت | نسخه قابل چاپ |

امتیاز :

نوشته شده در تاریخ 1394/3/19 و در ساعت : 01:03 - نویسنده : barghproject

ترجمه مقاله تقویت کننده ی شبه تفاضلی کلاس-AB برمبنای اینورتر CMOS

ترجمه مقاله تقویت کننده ی شبه تفاضلی کلاس-AB برمبنای اینورتر CMOS

عنوان انگلیسی مقاله: A CMOS Inverter-Based Class-AB Pseudo Differential Amplifier for HF Applications

عنوان فارسی مقاله: تقویت کننده ی شبه تفاضلی کلاس-AB برمبنای اینورتر CMOS برای کاربردهای HF.

دسته: برق و الکترونیک

فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ویرایش)

تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 13

جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید

ترجمه ی سلیس و روان مقاله آماده ی خرید می باشد.

_______________________________________

چکیده ترجمه:

این مقاله یک تقویت کننده ی شبه- تفاضلی کلاس-AB برمبنای اینورتر CMOS برای کاربردهای HF، با استفاده از مدار ساده rail-to-rail CMFB را ارایه می دهد. مدار ارایه شده، دارای دو اینورتر CMOS و فیدبک حالت-مشترک مکمل (CMFB) _که خود متشکل از آشکارساز حالت-مشترک حالت جریان و تقویت کننده های ترنز-امپدانسی (transimpedance)، بوده_ می باشد. این مدار با استفاده از فناوری CMOS 0.18 نانومتری تحت ولتاژ منبع 1 ولت، طراحی شده است، و نتایج شبیه سازی نشان می دهند که نوسان خروجی rail to rail با استفاده از گین حالت-مشترک پایین (-15 dB)، بدست می آید. نوسان خروجی مدار 0.7 v می باشد. تلفات توان مدار 0.96 میکرووات می باشد.

کلیدواژه: تقویت کننده ی شبه تفاضلی ، و فیدبک حالت-مشترک، کلاس-AB، اینورتر CMOS

1.مقدمه:

امروزه، یک مدار آنالوگ با کارکرد خوب _عمدتا بسبب پیشرفت ساختن مدار مجتمع فراوان با سیستم های مداری پیچیده، و نیاز به وسایل قابل حمل با منبع باطری_ بایسته شده است. اگرچه، کاهش منبع ولتاژ در مدارات آنالوگ باعث کاهش عملکرد زیادی می شود، و بنابراین، ترفندهای تازه ای برای طراحی نیاز است تا مدارات آنالوگ با پهنای باند، بهره، و خطی بودن کافی را بدست آورد.

تقویت کننده ی هدایت عرضی (OTA)، یکی از پایه ای ترین سلول ها _از آنجایی که OTA کاربرد زیادی در بسیاری از مدارات آنالوگ مانند تقویت کننده عملیاتی، مقایسه گرهای ولتاژ، مبدل های A-D و D-A و فیلترهای فرکانس بالا، دارد_ می باشد. روش های زیادی هم با استفاده از پیکربندی کاملن تفاضلی و هم با استفاده از پیکربندی شبه تفاضلی، برای طراحی OTA ولتاژ پایین [1-4] ارایه شده اند. FD بطور معمول، مبنی بر یک جفت تفاضلی با یک منبع جریان tail است، درحالی که PD مبنی بر دو اینورتر مستقل، بدون منبع جریان tail می باشد